Наверное, многие и нас помнят прошлогоднее заявление главы Еврокомиссии Урсулы фон дер Ляйен о том, будто в России принудительно изымают чипы из микроволновок и стиральных машин, чтобы установить их на крылатые ракеты. Дескать, благодаря санкциям российский ВПК лишился доступа к современной микроэлектронике, и теперь образовавшуюся брешь пытаются заткнуть вот таким вот «тоталитарным» способом.
Заявление, конечно же, анекдотическое. И все же подобное восприятие нашей страны возникло не просто так. Как говорится, дыма без огня не бывает. Микроэлектроника и в самом деле является нашим слабым местом. Причем, это досадное обстоятельство признается теми, кто так или иначе связан с высокими технологиями. Например, представитель «Ростеха» Виктор Славянцев, выступая на одной из панельных сессий Международного технологического форума «Технопром-2023», прямо обозначил неприглядную ситуацию с финансированием разработок в области критически важных технологий. Он обратил внимание на один досадный «перекос» в плане показателей развития. Так, по уровню ВВП Россия вышла на шестое место, тогда как по затратам на научно-технологическое развитие мы находимся на восемнадцатом месте. А без адекватных инвестиций в данный сектор говорить о технологическом суверенитете (а тем более – технологическом лидерстве) бессмысленно. Наглядный пример тому – ситуация с радиофотоникой. Несмотря на то, что радиофотоника была объявлена одной из приоритетных областей исследований, за последние десять лет по количеству публикаций и производственных заявок наша страна существенно отстает от Китая (примерно в 20 раз!).
В общем, технологическое отставание нашей страны от наших конкурентов и прямых соперников вполне очевидно. Удивляться тому не приходится, если учесть, что по объемам расходов на НИОКР Россия уступает тому же Китаю в 12 раз и США – в 15 раз! По словам Виктора Славянцева, в России показатель расходов на НИОКР (относительно ВВП) деградирует уже три десятилетия, хотя в реальном выражении (благодаря фактическому росту ВВП) эти объемы за последние двадцать лет выросли. Если проводить сравнение с Советским Союзом, то оно опять не в нашу пользу, поскольку данный показатель в СССР был выше нынешнего.
Однако проблема, считает Виктор Славянцев, упирается не только в проблему финансирования. Решающую роль в обеспечении научно-технологического развития играет объективный прогноз этого самого развития, благодаря чему происходит формирование опережающих научно-технологических заделов. Составление такого прогноза почему-то до сих пор не входит в круг первоочередных задач для представителей руководящих органов. И этот досадный пробел необходимо срочно устранять. Если говорить о развитии микроэлектроники, то ее такой прогноз касается не в последнюю очередь, поскольку на данном этапе мы находимся как раз накануне серьезного технологического прорыва в указанной отрасли.
На этот момент обратил внимание директор Института физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН Александр Латышев, выступая на круглом столе «От создания материалов до новых элементов Периодической таблицы», состоявшегося на площадке «Технопрома-2023». В целом его выступление было достаточно оптимистичным, несмотря на признание определенных проблем в отечественной микроэлектронике. По большому счету, наша страна обладает достаточно серьезным интеллектуальным потенциалом для развития этой отрасли. И справедливости ради надо сказать, что у руководства страны есть понимание относительно необходимой поддержки соответствующих фундаментальных исследований. Такая поддержка в определенных объемах осуществляется.
Как сказал Александр Латышев, не так давно в нашей стране был инициирован крупный проект мирового уровня с весьма хорошим финансированием, в реализацию которого были вовлечены сразу несколько серьезных научных и научно-образовательных организаций страны. А именно: Институт физики полупроводников СО РАН, Институт физики микроструктур РАН (г. Нижний Новгород), Институт физики металлов УрО РАН (г. Екатеринбург), Санкт-Петербургский государственный университет и Новосибирский государственный университет. В роли головной организации как раз выступал ИФП СО РАН.
По словам Александра Латышева, данный проект решал фундаментальные задачи по поиску новых материалов и изучению новых квантовых эффектов в конденсированных системах. Работа касалась развития технологий создания квантовых материалов и реализации электронно-компонентной базы на новых физических принципах для посткремниевой электроники. Последний момент, касающийся посткремниевой электроники, имеет здесь принципиальное значение. Речь идет, отметил Александр Латышев, о фундаментальных основах микроэлектроники будущего. Это тот пласт исследования, который вошел в научные публикации в специализированных международных научных журналах. Неспециалисту разобраться во всех этих формулах, графиках и схемах не представляется возможным. Но этими формулами работа не исчерпывается. Были получены и вполне конкретные результаты, имеющие практическое значение.
Один из таких результатов был представлен в прошлом году на общем собрании Российской академии наук и получил высокую оценку. Речь идет о разработке новых спин-детекторов для фотоэмиссии с угловым разрешением. Данная разработка позволяет проводить исследование электронной структуры и спиновой текстуры новых квантовых материалов. «Уже сейчас, - пояснил Александр Латышев, - этот детектор нашел свое применение. Он будет использоваться на одной из станций синхротрона СКИФ, строящегося под Новосибирском». И что самое важное для нашей темы, этот детектор будет использоваться вместо импортного детектора, который - после введения санкций – нам поставлять отказываются. Причем наш детектор, уверяет Александр Латышев, гораздо более эффективный и более дешевый, чем предыдущий.
Помимо этого, были разработаны новые гетероструктуры для СВЧ-транзисторов. В данном случае речь идет о полуфабрикате – специальном материале, необходимом для создания собственной СВЧ-электроники. Все это может использоваться в беспроводных соединениях, в современных системах связи, в локации и т.д. Оптимизированные гетероструктуры уже переданы индустриальному партнеру в Томске для изготовления монолитных интегральных схем. Когда будет проведен весь цикл испытаний, мы уже увидим конечный результат проделанной работы. Причем важно подчеркнуть, что данная разработка, по словам Александра Латышева, осуществлялась при выполнении фундаментального проекта.
Еще один показательный пример – это создание мощных фотодиодов СВЧ диапазона, которые в настоящее время весьма востребованы в высокотехнологичном производстве. Как уточнил Александр Латышев, разработчики создали целую линейку таких фотодиодов. Они достаточно эффективно работают и переданы для дальнейшего использования в промышленности и науке. Не исключено, что в ближайшее время заказ на изготовление данных изделий значительно вырастет.
Мы не будем здесь перечислять все новейшие разработки ИФП СО РАН, поскольку их достаточно много и они, на удивление, весьма успешно претворяются в жизнь. Важность приведенных примеров в том, что они наглядно отражают наш интеллектуальный потенциал применительно к такой критически важной отрасли, как микроэлектроника. По большому счету это означает, что Россия в состоянии преодолеть здесь все слабые места и осуществить на текущем этапе необходимое импортазамещение. А если учесть характер фундаментальных исследований, то мы можем с полной уверенностью говорить о заделах на будущее, которые – ни много, ни мало – создают предпосылки для нашего технологического лидерства в указанной сфере.
Николай Нестеров
- Войдите или зарегистрируйтесь, чтобы отправлять комментарии